2026 年 8 月，台积电携手阳明交大在《Nature Electronics》发表最新突破，研发出0.42纳米极薄缓冲层，成功制造出高效能单层二硫化钼（MoS2）晶体管。 该成果攻克了原子级材料界面阻抗难题，这意味着芯片可突破硅基物理极限，在 0.7 nm 等极小节点延续摩尔定律。这将深刻影响未来半导体产业，加速开启「硅+二维材料」混合架构新时代。 -此人还推荐了一些关联股票，但问过 AI 说很牵强，就不列出来了（其实列出了）。
